MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC104N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 63 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 285-050
- Nº ref. fabric.:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 285-050
- Nº ref. fabric.:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia de primer nivel diseñado para aplicaciones de alta eficiencia. Con sus características de nivel lógico de canal N avanzado, se destaca en proporcionar una resistencia de encendido muy baja, lo que garantiza un ahorro de energía óptimo durante el funcionamiento. El innovador encapsulado SuperSO8 mejora la gestión térmica, lo que lo convierte en ideal para tareas de conmutación de alta frecuencia. Este estado del componente ART cuenta con un excelente rendimiento de carga de puerta, lo que reduce significativamente las pérdidas que se suelen encontrar en dispositivos menos sofisticados. Además, su conformidad con las normativas RoHS y sin halógenos garantiza un compromiso con la tecnología respetuosa con el medio ambiente.
Tecnología de canal N para un rendimiento superior
La baja resistencia de encendido reduce la pérdida de potencia
Diseñado para conmutación de alta frecuencia
Cumple las normas de fiabilidad del sector
RoHS y sin halógenos para mayor compatibilidad con el medio ambiente
Maneja alta energía de avalancha para mayor robustez
Optimizado para rectificación síncrona
Características térmicas mejoradas para una mejor disipación de calor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon VDSS 120 V Mejora de 8 pines, 1
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOST VDSS 30 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOST VDSS 30 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-TDSON-8-34 de 8 pines