MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC073N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 86 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 285-048
- Nº ref. fabric.:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 285-048
- Nº ref. fabric.:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 86A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 86A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia de canal N avanzado que sobresale en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. Diseñado con la innovadora tecnología OptiMOS 6, proporciona una eficiencia y un rendimiento excepcionales. Con una baja resistencia de encendido y una alta energía nominal de avalancha, este componente está optimizado para aplicaciones industriales exigentes y garantiza un funcionamiento fiable incluso en entornos térmicos exigentes. Su encapsulado Compact PG TDSON 8 mejora aún más su usabilidad, lo que facilita la integración en varios diseños. El transistor funciona perfectamente en un amplio rango de temperaturas, lo que facilita la versatilidad en numerosas aplicaciones.
Diseño de canal N para mejorar el rendimiento
Optimizado para conmutación de alta frecuencia
La baja resistencia de encendido mejora la eficiencia energética
La alta calificación de avalancha garantiza la fiabilidad
El encapsulado compacto ahorra espacio de diseño
Conformidad con RoHS para sostenibilidad
MSL 1 para facilitar la soldadura
El diodo del cuerpo interno mejora la funcionalidad
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