MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISC16DP15LMATMA1, VDSS 150 V, ID -22 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-786
- Nº ref. fabric.:
- ISC16DP15LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-786
- Nº ref. fabric.:
- ISC16DP15LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS diseñado para proporcionar un rendimiento excepcional para una gama de aplicaciones industriales. Con su arquitectura de canal P avanzada y construcción robusta, garantiza la fiabilidad incluso en condiciones exigentes. Con una tensión de ruptura de 150 V, este transistor está diseñado para manejar tensiones significativas de manera eficaz. Su baja resistencia de encendido ayuda a mejorar la eficiencia, lo que lo convierte en un componente valioso en sistemas de gestión de potencia. Al alinearse con los estándares de conformidad RoHS, este transistor destaca aún más su compromiso con la sostenibilidad ambiental, lo que lo convierte en una excelente elección para proyectos de visión de futuro.
Resistencia de encendido muy baja para mayor eficiencia
100% probado contra avalanchas para mayor fiabilidad
Compatibilidad de unidad de puerta de nivel lógico
El excelente rendimiento térmico reduce el calor
Conformidad con RoHS para mayor compatibilidad con el medio ambiente
Calificación conforme a los estándares JEDEC para mayor fiabilidad
Diseño compacto para configuraciones adaptables
Chapado de plomo sin halógenos para seguridad ambiental
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