MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSR315PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 620 mA, Mejora, SC-59 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2469
- Nº ref. fabric.:
- BSR315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,418 € | 20,90 € |
| 100 - 200 | 0,305 € | 15,25 € |
| 250 - 450 | 0,288 € | 14,40 € |
| 500 - 1200 | 0,267 € | 13,35 € |
| 1250 + | 0,246 € | 12,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2469
- Nº ref. fabric.:
- BSR315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 620mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-59 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 620mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-59 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor Infineon SIPMOS® de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P de transistor 20V Las innovadoras familias OptiMOS™ de Infineon incluyen MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen de forma constante las demandas de calidad y rendimiento más altas en especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como resistencia en estado y características de factor de mérito. El BSS84P es un MOSFET de modo de mejora de canal p en un encapsulado pequeño de montaje en superficie con un rendimiento de conmutación superior. Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y corriente baja.
Modo de mejora
Nivel lógico
Avalancha nominal
Conmutación rápida
Valor nominal DV/dt
Chapado de cable sin plomo
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