MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, Mejora, TSON de 8 pines

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Código RS:
171-2385
Nº ref. fabric.:
TPN14006NH,L1Q(M
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.1 mm

Longitud

3.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.85mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

Reguladores de tensión de conmutación

Controladores para motor

Convertidores dc-dc

Conmutación de alta velocidad

Carga de puerta pequeña: QSW = 5,5 nC (típ.)

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 11 mΩ (típ)

Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V)

Modo de mejora: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

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