Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 65 A, Mejora, TSON de 8 pines

Código RS:: 171-2206
Nº ref. fabric.:: TPN14006NH,L1Q(M
Fabricante:: Toshiba

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 65 A, Mejora, TSON de 8 pines

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1.960,00 €

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
5000 - 5000	0,392 €	1.960,00 €
10000 +	0,362 €	1.810,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 171-2206
Nº ref. fabric.:: TPN14006NH,L1Q(M
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	65A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	41mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	30W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.85mm
	Anchura	3.1 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 65A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 30W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.85mm
	Anchura 3.1 mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

Reguladores de tensión de conmutación

Controladores para motor

Convertidores dc-dc

Conmutación de alta velocidad

Carga de puerta pequeña: QSW = 5,5 nC (típ.)

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 11 mΩ (típ)

Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V)

Modo de mejora: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 65 A, Mejora, TSON de 8 pines

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