MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TSON de 8 pines

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Código RS:
171-2208
Nº ref. fabric.:
TPN2R304PL
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.85mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.1mm

Anchura

3.1 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

Convertidores dc-dc de alta eficiencia

Reguladores de tensión de conmutación

Controladores para motor

Conmutación de alta velocidad

Carga de puerta pequeña: QSW = 10,8 nC (típ.)

Carga de salida pequeña: Qoss = 27 nC (típ.)

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 1,8 mΩ (típ) (VGS = 10 V)

Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 40 V)

Modo de mejora: Vth = 1,4 a 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

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