MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IQFH61N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 510 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines

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Código RS:
762-983
Nº ref. fabric.:
IQFH61N06NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

510A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-TSON-12

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

12

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.61mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

190nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6mm

Longitud

8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Transistor OptiMOS 5Power de 60 V de Infineon, optimizado para unidades de baja tensión, alimentación por batería y aplicaciones de rectificación síncrona. Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales.

100 % a prueba de avalancha

Resistencia térmica superior

Canal N

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

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