MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IQFH61N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 510 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines

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Código RS:
762-983
Nº ref. fabric.:
IQFH61N06NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

510A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TSON-12

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

12

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.61mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

190nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Transistor OptiMOS 5Power de 60 V de Infineon, optimizado para unidades de baja tensión, alimentación por batería y aplicaciones de rectificación síncrona. Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales.

100 % a prueba de avalancha

Resistencia térmica superior

Canal N

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

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