MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQFH36N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 656 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines

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Código RS:
348-840
Nº ref. fabric.:
IQFH36N04NM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

656A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS-TM6

Encapsulado

PG-TSON-12

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

12

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.36mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de potencia de nivel normal y 40 V de Infineon viene en nuestro último e innovador encapsulado PQFN de 8 x 6 mm², compacto y con clip, que permite niveles de corriente y potencia muy elevados. La pieza ofrece la mejor RDS(on) actual del sector, de 0,36 mΩ, combinada con un rendimiento térmico excepcional.

Pérdidas de conducción minimizadas

Conmutación rápida

Reducción de sobretensiones

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