Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IQFH55N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 451 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- Código RS:
- 349-390
- Nº ref. fabric.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,51 € | 9,02 € |
| 20 - 198 | 4,055 € | 8,11 € |
| 200 - 998 | 3,745 € | 7,49 € |
| 1000 - 1998 | 3,475 € | 6,95 € |
| 2000 + | 3,115 € | 6,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-390
- Nº ref. fabric.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 451A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PG-TSON-12 | |
| Serie | IQF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 118nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 451A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PG-TSON-12 | ||
Serie IQF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 118nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 40 V de Infineon está optimizado específicamente para aplicaciones de conducción de baja tensión y sistemas alimentados con batería, por lo que es ideal para diseños energéticamente eficientes. También está optimizado para aplicaciones síncronas, lo que garantiza mayor rendimiento. El MOSFET presenta una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción para mejorar la eficiencia. Además, es 100 % a prueba de avalancha, lo que garantiza un rendimiento fiable en condiciones exigentes.
Resistencia térmica superior
Canal N
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
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