Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IQFH55N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 451 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- Código RS:
- 349-390
- Nº ref. fabric.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,125 € | 10,25 € |
| 20 - 198 | 4,61 € | 9,22 € |
| 200 - 998 | 4,255 € | 8,51 € |
| 1000 - 1998 | 3,95 € | 7,90 € |
| 2000 + | 3,535 € | 7,07 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-390
- Nº ref. fabric.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 451A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IQF | |
| Encapsulado | PG-TSON-12 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 118nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 451A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IQF | ||
Encapsulado PG-TSON-12 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 118nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 40 V de Infineon está optimizado específicamente para aplicaciones de conducción de baja tensión y sistemas alimentados con batería, por lo que es ideal para diseños energéticamente eficientes. También está optimizado para aplicaciones síncronas, lo que garantiza mayor rendimiento. El MOSFET presenta una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción para mejorar la eficiencia. Además, es 100 % a prueba de avalancha, lo que garantiza un rendimiento fiable en condiciones exigentes.
Resistencia térmica superior
Canal N
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
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