Módulos MOSFET Infineon, Canal N-Canal FS01MR08A8MA2CHPSA1, VDSS 750 V, ID 620 A, PG-TSON-12, Mejora de 30 pines,

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Código RS:
762-980
Nº ref. fabric.:
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

Módulos MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

620A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

PG-TSON-12

Serie

HybridPACK

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

30

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5μC

Tensión directa Vf

6.73V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Medio puente

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El módulo HybridPACK Drive G2 de Infineon utiliza MOSFET de carburo de silicio (SiC), que ofrecen una tensión máxima de 750 V y una corriente nominal de 620 A. Su diseño presenta una baja resistencia de conexión, pérdidas de conmutación mínimas y una robusta capacidad de aislamiento de 4,25 kV. Diseñado para un alto rendimiento, mantiene temperaturas de funcionamiento de hasta 200 °C.

Diseño compacto

Alta densidad de potencia

Placa base PinFin con refrigeración directa

Diodo sensor de temperatura integrado

Tecnología de contacto PressFIT

Conformidad con RoHS, sin plomo

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