MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TPH1R306PL,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, SOP de 8 pines
- Código RS:
- 206-9790
- Nº ref. fabric.:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- Fabricante:
- Toshiba
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,246 € | 11,23 € |
| 50 - 495 | 1,748 € | 8,74 € |
| 500 - 995 | 1,428 € | 7,14 € |
| 1000 - 2495 | 1,402 € | 7,01 € |
| 2500 + | 1,38 € | 6,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 206-9790
- Nº ref. fabric.:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TPH1R306PL | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 91nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5 mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TPH1R306PL | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 91nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5 mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad. Se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta eficiencia, reguladores de tensión de conmutación y controladores de motor.
¿Baja resistencia de conexión de fuente-drenador de 1,0 m?
Temperatura de almacenamiento: -55 a 175 °C.