Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines

Código RS:: 171-2421
Nº ref. fabric.:: TK31V60W5
Fabricante:: Toshiba

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
2500 - 2500	3,969 €	9.922,50 €
5000 +	3,747 €	9.367,50 €

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Código RS:: 171-2421
Nº ref. fabric.:: TK31V60W5
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	DFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	109mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	240W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	105nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.85mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	8 mm
	Longitud	8mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado DFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 109mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 240W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 105nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.85mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 8 mm
	Longitud 8mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Reguladores de tensión de conmutación

Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.)

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ)

Conmutación de puerta de control sencilla

Modo de mejora: Vth = 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines

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