MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 171-2421
- Nº ref. fabric.:
- TK31V60W5
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-2421
- Nº ref. fabric.:
- TK31V60W5
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 109mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 105nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 109mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 105nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
Reguladores de tensión de conmutación
Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ)
Conmutación de puerta de control sencilla
Modo de mejora: Vth = 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)
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