MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
206-9729
Nº ref. fabric.:
TK099V65Z,LQ(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

DFN

Serie

TK099V65Z

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8 mm

Longitud

8mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Baja resistencia de conexión drenador-fuente 0,08 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

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