MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2526
Nº ref. fabric.:: TK31V60W5
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 27/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

5,39 €

(exc. IVA)

6,52 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 8	5,39 €	10,78 €
10 - 98	4,845 €	9,69 €
100 - 498	4,41 €	8,82 €
500 - 998	4,045 €	8,09 €
1000 +	3,725 €	7,45 €

*precio indicativo

Código RS:: 171-2526
Nº ref. fabric.:: TK31V60W5
Fabricante:: Toshiba

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

Reguladores de tensión de conmutación
Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ)
Conmutación de puerta de control sencilla
Modo de mejora: Vth = 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	DFN
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	109 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	240 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Ancho	8mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	105 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Tensión de diodo directa	1.7V
Altura	0.85mm

MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

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Especificaciones

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