Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-3P de 3 pines

Código RS:: 168-7964
Nº ref. fabric.:: TK20J60W,S1VQ(O
Fabricante:: Toshiba

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-3P de 3 pines

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Código RS:: 168-7964
Nº ref. fabric.:: TK20J60W,S1VQ(O
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Serie	TK
	Encapsulado	TO-3P
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	155mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	48nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	165W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	15.5mm
	Altura	20mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.5 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Serie TK
	Encapsulado TO-3P
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 155mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 165W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 15.5mm
	Altura 20mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.5 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: JP

MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-3P de 3 pines

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MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba

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