MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK20J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-3P de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
827-6163
Nº ref. fabric.:
TK20J60W,S1VQ(O
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

TK

Encapsulado

TO-3P

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

155mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.7V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.5mm

Altura

20mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP

MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba


Transistores MOSFET, Toshiba


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