MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Agotado temporalmente
Código RS:
891-2863
Nº ref. fabric.:
TK10A60W5,S5VX(M
Fabricante:
Toshiba
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

TK

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

450mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10mm

Altura

15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

Transistores MOSFET, Toshiba


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