MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
125-0532
Número de artículo Distrelec:
304-24-218
Nº ref. fabric.:
TK10A60W,S4VX(M
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

DTMOSIV

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10mm

Anchura

4.5 mm

Altura

15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP

Transistores MOSFET, Toshiba


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