MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
827-6182
Nº ref. fabric.:
TK31E60W,S1VX(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

TK

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

88mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.7V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

86nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

15.1mm

Longitud

10.16mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.45 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba


Transistores MOSFET, Toshiba


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