MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-7950
Nº ref. fabric.:
TK12E60W,S1VX(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

TK

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

-1.7V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.45 mm

Altura

15.1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.16mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Transistores MOSFET, Toshiba


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