MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
827-6126
Nº ref. fabric.:
TK12P60W,RVQ(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

DTMOSIV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

340mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Anchura

6.1 mm

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Transistores MOSFET, Toshiba


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