MOSFET, Tipo P-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
171-2414
Nº ref. fabric.:
TJ60S04M3L
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

125nC

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

7 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
JP
Aplicaciones

Automoción

Controladores para motor

Convertidores dc-dc

Reguladores de tensión de conmutación

Características

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 7,0 mΩ (típ) (VGS = -10 V)

Baja corriente de fugas: IDSS = -10 μA (máx.) (VDS = -40 V)

Modo de mejora: Vth = -2,0 a -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

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