MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
171-2426
Nº ref. fabric.:
TK60S06K3L
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

7 mm

Altura

2.3mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
JP
Automoción

Controladores para motor

Convertidores dc-dc

Reguladores de tensión de conmutación

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 6,4 mΩ (típ) (VGS = 10 V)

Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V)

Modo de mejora: Vth = 2,0 a 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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