MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2415
Nº ref. fabric.:: TJ8S06M3L
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

490 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2000)

0,474 €

(exc. IVA)

0,574 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2000 +	0,474 €	948,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 171-2415
Nº ref. fabric.:: TJ8S06M3L
Fabricante:: Toshiba

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: JP

Datos del Producto

Aplicaciones
Automoción
Controladores para motor
Convertidores dc-dc
Reguladores de tensión de conmutación
Características
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 80 mΩ (típ) (VGS = -10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = -10 μA (máx.) (VDS = -60 V)
Modo de mejora: Vth = -2,0 a -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	130 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	27 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +10 V
Longitud	6.5mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Estándar de automoción	AEC-Q101
Altura	2.3mm
Tensión de diodo directa	1.2V

MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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