MOSFET, Tipo P-Canal Toshiba TJ15P04M3, VDSS 40 V, ID 15 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
171-2473
Nº ref. fabric.:
TJ15P04M3
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

48mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

7.18mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 28 mΩ (típ) (VGS = -10 V)

Baja corriente de fugas: IDSS = -10 μA (máx.) (VDS = -40 V)

Modo de mejora: Vth = -0,8 a -2,0 V (VDS = -10 V, ID = -0,1 mA)

Aplicaciones:

Controladores para motor

Interruptores de administración de potencia

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