MOSFET, N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Código RS:
171-2429
Nº ref. fabric.:
TK8S06K3L
Fabricante:
Toshiba
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.5mm

Anchura

7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
JP
Automoción

Controladores para motor

Convertidores dc-dc

Reguladores de tensión de conmutación

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 43 mΩ (típ) (VGS = 10 V)

Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V)

Modo de mejora: Vth = 2,0 a 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.