MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2494
Nº ref. fabric.:: TK65S04N1L
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

3910 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,133 €

(exc. IVA)

1,371 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,133 €	11,33 €
50 - 90	0,97 €	9,70 €
100 - 990	0,851 €	8,51 €
1000 +	0,754 €	7,54 €
*precio indicativo

Código RS:: 171-2494
Nº ref. fabric.:: TK65S04N1L
Fabricante:: Toshiba

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: JP

Datos del Producto

Aplicaciones
Automoción
Controladores para motor
Reguladores de tensión de conmutación
Características
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 3,3 mΩ (típ)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 40 V)
Modo de mejora: Vth = 1,5 a 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	4,3 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	107 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	7mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	39 nC a 10 V
Longitud	6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Estándar de automoción	AEC-Q101
Altura	2.3mm

Código RS:: 171-2494
Nº ref. fabric.:: TK65S04N1L
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Legislación y Conformidad

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Especificaciones

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