MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 65 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
171-2428
Nº ref. fabric.:
TK65S04N1L
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Anchura

7 mm

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
JP
Aplicaciones

Automoción

Controladores para motor

Reguladores de tensión de conmutación

Características

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 3,3 mΩ (típ)

Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 40 V)

Modo de mejora: Vth = 1,5 a 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

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