MOSFET, Tipo P-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 15 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
171-2412
Nº ref. fabric.:
TJ15P04M3
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

48mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

7.18 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 28 mΩ (típ) (VGS = -10 V)

Baja corriente de fugas: IDSS = -10 μA (máx.) (VDS = -40 V)

Modo de mejora: Vth = -0,8 a -2,0 V (VDS = -10 V, ID = -0,1 mA)

Aplicaciones:

Controladores para motor

Interruptores de administración de potencia

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