MOSFET, Tipo P-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 15 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 171-2412
- Nº ref. fabric.:
- TJ15P04M3
- Fabricante:
- Toshiba
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
746,00 €
(exc. IVA)
902,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 19 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,373 € | 746,00 € |
| 4000 - 8000 | 0,344 € | 688,00 € |
| 10000 + | 0,319 € | 638,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 171-2412
- Nº ref. fabric.:
- TJ15P04M3
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 48mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 7.18 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 48mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 7.18 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 28 mΩ (típ) (VGS = -10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = -10 μA (máx.) (VDS = -40 V)
Modo de mejora: Vth = -0,8 a -2,0 V (VDS = -10 V, ID = -0,1 mA)
Aplicaciones:
Controladores para motor
Interruptores de administración de potencia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
