MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
206-9724
Nº ref. fabric.:
TK090A65Z,S4X(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

TK090A65Z

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Tensión directa Vf

-1.7V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.7mm

Longitud

28mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

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