MOSFET Toshiba TK30A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 30 A, TO-220SIS de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 827-6179
- Nº ref. fabric.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
50 Disponible para entrega en 24/48 horas
110 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,727 €
(exc. IVA)
0,88 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 10 - 90 | 0,727 € | 7,27 € |
| 100 - 190 | 0,601 € | 6,01 € |
| 200 - 360 | 0,531 € | 5,31 € |
| 370 - 740 | 0,515 € | 5,15 € |
| 750 + | 0,505 € | 5,05 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 827-6179
- Nº ref. fabric.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
Transistores MOSFET, Toshiba
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220SIS |
| Serie | TK |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 15 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Disipación de Potencia Máxima | 25 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 16 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.5mm |
| Longitud | 10mm |
| Altura | 15mm |
- Código RS:
- 827-6179
- Nº ref. fabric.:
- TK30A06N1,S4X(S
- Fabricante:
- Toshiba
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