MOSFET, N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 58 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
827-6249
Nº ref. fabric.:
TK58A06N1,S4X(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

60 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

58 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

TO-220

Número de pines

3

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

-1.2 V

Altura

15 mm

Longitud

10 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

5.4 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20 V, +20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

35 W

Tipo de montaje

Orificio pasante

Serie

TK

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

46 nC

Anchura

4.5 mm

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Transistors, Toshiba


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