MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

197,35 €

(exc. IVA)

238,80 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 50 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 +3,947 €197,35 €

*precio indicativo

Código RS:
206-9723
Nº ref. fabric.:
TK090A65Z,S4X(S
Fabricante:
Toshiba
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

TK090A65Z

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.7mm

Anchura

10 mm

Longitud

28mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

Enlaces relacionados