MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

11,70 €

(exc. IVA)

14,16 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Disponible(s) 54 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +11,70 €

*precio indicativo

Código RS:
206-9728
Nº ref. fabric.:
TK090Z65Z,S1F(O
Fabricante:
Toshiba
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

TK090Z65Z

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.7V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

40.96mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5mm

Anchura

15.94 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

Enlaces relacionados