MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK090N65Z,S1F(S, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
206-9725
Nº ref. fabric.:
TK090N65Z,S1F(S
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

TK090N65Z

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

40.02mm

Anchura

15.94 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.02mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

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