Toshiba Transistor, 2SK209-GR(TE85L,F), Tipo N-Canal, Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido-Canal, 10 V, Tipo de
- Código RS:
- 236-3554
- Nº ref. fabric.:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
519,00 €
(exc. IVA)
627,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 13 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,173 € | 519,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 236-3554
- Nº ref. fabric.:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | Transistor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo Sub | Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 10V | |
| Configuración | Tipo de unión | |
| Encapsulado | S-MINI | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 25°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150mW | |
| Número de pines | 3 | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 14 mA | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Serie | 2SK209 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto Transistor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo Sub Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 10V | ||
Configuración Tipo de unión | ||
Encapsulado S-MINI | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 25°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150mW | ||
Número de pines 3 | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 14 mA | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Serie 2SK209 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo de unión de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de amplificador de ruido bajo de frecuencia de audio.
Bajo ruido
Encapsulado pequeño
Enlaces relacionados
- Toshiba TransistorF) Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido-Canal Tipo de
- Toshiba JFETF) JFET-Canal Simple 1.2 to 3 mA 3 pines
- Toshiba JFET JFET-Canal Simple 1.2 to 3 mA 3 pines
- Toshiba JFETF) JFET-Canal Simple 0.3 to 0.75 mA 3 pines
- Toshiba TransistorF) 10 V SMV, 5 pines
- Toshiba JFET JFET-Canal Simple 0.3 to 0.75 mA 3 pines
- MOSFETF) ID 50 mA USM de 3 pines
- Transistor MOSFET Toshiba TPC6108(TE85L VDSS 30 V VS de 6 pines