Nº ref. fabric.

Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

Código RS:: 236-3554
Nº ref. fabric.:: 2SK209-GR(TE85L,F)
Fabricante:: Toshiba

Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

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Código RS:: 236-3554
Nº ref. fabric.:: 2SK209-GR(TE85L,F)
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de Canal	N
	Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss	14mA
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-50 V
	Tipo de Encapsulado	S-MINI
	Conteo de Pines	3

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de Canal N
	Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 14mA
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -50 V
	Tipo de Encapsulado S-MINI
	Conteo de Pines 3

Datasheet - 2SK209-GR(TE85L,F)

El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo de unión de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de amplificador de ruido bajo de frecuencia de audio.

Bajo ruido
Encapsulado pequeño

Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

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