Toshiba JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Tipo N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 0.3 to 0.75 mA, SOT-346, 3 pines
- Código RS:
- 760-3123
- Nº ref. fabric.:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,358 € | 3,58 € |
| 100 - 190 | 0,24 € | 2,40 € |
| 200 - 390 | 0,217 € | 2,17 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 760-3123
- Nº ref. fabric.:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 10V | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-346 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100kΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100mW | |
| Número de pines | 3 | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 0.3 to 0.75 mA | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto JFET | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 10V | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-346 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100kΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100mW | ||
Número de pines 3 | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 0.3 to 0.75 mA | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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