Toshiba JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 0.3 to 0.75 mA, SOT-346, 3 pines

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Código RS:
760-3123
Nº ref. fabric.:
2SK208-R(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

N

Tipo Sub

JFET

Tipo de producto

JFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

10V

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-346

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V

Corriente de fuente de drenaje Ids

0.3 to 0.75 mA

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100kΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Número de pines

3

Disipación de potencia máxima Pd

100mW

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

2.9mm

Anchura

1.5mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA


Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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