Transistor MOSFET Toshiba TPC6108(TE85L,F), VDSS 30 V, ID 4.5 A, VS de 6 pines

Marca

Toshiba

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

VS

Serie

U-MOSⅣ

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2200 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

2.9mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Ancho

1.6mm

Altura

0.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C