Transistor de efecto de campo, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 20 V, ID 4.2 A, Mejora, UF de 6 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

291,00 €

(exc. IVA)

351,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,097 €291,00 €

*precio indicativo

Código RS:
171-2405
Nº ref. fabric.:
SSM6K403TU
Fabricante:
Toshiba
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Toshiba

Tipo de producto

Transistor de efecto de campo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SSM6K403TU

Encapsulado

UF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

66mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Tensión directa Vf

-0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.7mm

Longitud

1.7mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
TH
Accionamiento de 1,5 V

Baja resistencia de conexión: Ron = 66 mΩ (máx) (a VGS = 1,5V)

Ron = 43 mΩ (máx) (a VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (máx) (a VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (máx) (a VGS = 4,0 V)

Enlaces relacionados