Toshiba JFET, Tipo N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 1.2 to 3 mA, SOT-346, 3 pines

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Código RS:
760-3126P
Nº ref. fabric.:
2SK209-Y(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo Sub

JFET

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

JFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

10V

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-346

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1kΩ

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30 V

Corriente de fuente de drenaje Ids

1.2 to 3 mA

Número de pines

3

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.5 mm

Altura

1.1mm

Longitud

2.9mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA


Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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