Toshiba JFET, Tipo N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 1.2 to 3 mA, SOT-346, 3 pines

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Código RS:
760-3126P
Nº ref. fabric.:
2SK209-Y(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo Sub

JFET

Tipo de producto

JFET

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

10V

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-346

Número de pines

3

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30 V

Corriente de fuente de drenaje Ids

1.2 to 3 mA

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1kΩ

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Anchura

1.5 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.9mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA


Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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