onsemi JFET, Tipo N-Canal, JFET-Canal, 25 V, Simple 24 to 60 mA, SOT-23, 3 pines
- Código RS:
- 625-5745P
- Nº ref. fabric.:
- MMBFJ310LT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 95 | 0,184 € |
| 100 - 495 | 0,16 € |
| 500 - 995 | 0,14 € |
| 1000 + | 0,128 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 625-5745P
- Nº ref. fabric.:
- MMBFJ310LT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 24 to 60 mA | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 225mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.01mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto JFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 24 to 60 mA | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 225mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.01mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
JFET de canal N, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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