JFET, MMBFJ310LT3G, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 773-7813P
- Nº ref. fabric.:
- MMBFJ310LT3G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*
9,00 €
(exc. IVA)
11,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 7160 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 100 - 240 | 0,09 € |
| 250 - 490 | 0,078 € |
| 500 - 990 | 0,068 € |
| 1000 + | 0,062 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 773-7813P
- Nº ref. fabric.:
- MMBFJ310LT3G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 24 to 60mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 25 V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 5pF | |
| Dimensiones | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| Ancho | 1.4mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 1.01mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 24 to 60mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Fuente-Puerta 5pF | ||
Dimensiones 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
Ancho 1.4mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 1.01mm | ||
Estado RoHS: No aplica
JFET de canal N, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)