onsemi JFET, MMBFJ177LT1G, Tipo P-Canal, JFET-Canal, -25 V dc, Simple 1.5 to 20 mA, SOT-23, 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
773-7816P
Nº ref. fabric.:
MMBFJ177LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo Sub

JFET

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

JFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-25V dc

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-23

Corriente de fuente de drenaje Ids

1.5 to 20 mA

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Número de pines

3

Disipación de potencia máxima Pd

225mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V dc

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.01mm

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

JFET de canal P, ON Semiconductor


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Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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