onsemi JFET, MMBFJ177LT1G, Tipo P-Canal, JFET-Canal, -25 V dc, Simple 1.5 to 20 mA, SOT-23, 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
773-7816P
Nº ref. fabric.:
MMBFJ177LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

JFET

Tipo Sub

JFET

Tipo de canal

Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-25V dc

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-23

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V dc

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300Ω

Corriente de fuente de drenaje Ids

1.5 to 20 mA

Disipación de potencia máxima Pd

225mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Altura

1.01mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal P, ON Semiconductor


Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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