JFET, MMBFJ309LT1G, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

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Código RS:
773-7819
Nº ref. fabric.:
MMBFJ309LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 to 30mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Configuración

Único

Configuración de transistor

Simple

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Conteo de Pines

3

Capacidad Fuente-Puerta

5pF

Dimensiones

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Ancho

1.4mm

Altura

1.01mm

Longitud

3.04mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

JFET de canal N, ON Semiconductor



Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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