JFET, 2SK3557-7-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 792-5167
- Nº ref. fabric.:
- 2SK3557-7-TB-E
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,295 € | 5,90 € |
| 200 - 480 | 0,254 € | 5,08 € |
| 500 - 980 | 0,221 € | 4,42 € |
| 1000 - 1980 | 0,194 € | 3,88 € |
| 2000 + | 0,176 € | 3,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 792-5167
- Nº ref. fabric.:
- 2SK3557-7-TB-E
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 16 to 32mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 15 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | -15V | |
| Configuración | Único | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | CP | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Drenador-Fuente | 10pF | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 2.9pF | |
| Dimensiones | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Ancho | 1.5mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 16 to 32mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 15 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador -15V | ||
Configuración Único | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado CP | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Drenador-Fuente 10pF | ||
Capacidad Fuente-Puerta 2.9pF | ||
Dimensiones 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Ancho 1.5mm | ||
JFET de canal N, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)