onsemi JFET, 2SK932-24-TB-E, N-Canal, JFET-Canal, 15 V, Simple 14.5 → 24 mA, CP, 3 pines
- Código RS:
- 792-5177
- Nº ref. fabric.:
- 2SK932-24-TB-E
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,381 € | 9,53 € |
| 100 - 225 | 0,328 € | 8,20 € |
| 250 - 475 | 0,285 € | 7,13 € |
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- Código RS:
- 792-5177
- Nº ref. fabric.:
- 2SK932-24-TB-E
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 15V | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | CP | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200mW | |
| Número de pines | 3 | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 14.5 → 24 mA | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 1.5mm | |
| Serie | 2SK932 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de producto JFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 15V | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado CP | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200mW | ||
Número de pines 3 | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 14.5 → 24 mA | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 1.5mm | ||
Serie 2SK932 | ||
Estándar de automoción No | ||
JFET de canal N, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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