onsemi JFET, J109, Tipo N-Canal, JFET-Canal, Simple 40 mA, TO-92, 3 pines
- Código RS:
- 806-1750
- Nº ref. fabric.:
- J109
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,372 € | 9,30 € |
| 100 - 225 | 0,321 € | 8,03 € |
| 250 - 475 | 0,278 € | 6,95 € |
| 500 + | 0,244 € | 6,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 806-1750
- Nº ref. fabric.:
- J109
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Número de pines | 3 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 625mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25 V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 40 mA | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.58mm | |
| Altura | 4.58mm | |
| Anchura | 3.86 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de producto JFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Número de pines 3 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 625mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25 V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 40 mA | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.58mm | ||
Altura 4.58mm | ||
Anchura 3.86 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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