AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM18W08-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256kbit, 32K x 8 bits, 70ns, 2,7 V a 5,5 V

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 256 Kbit organizada lógicamente como 32 K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Compatible con SRAM y EEPROM
Pines SRAM y EEPROM estándar del sector de 32 K x 8
tiempo de acceso de 70 ns, tiempo de ciclo de 130 ns
Superior a los módulos SRAM respaldados por batería
No hay problemas con la batería
Fiabilidad monolítica
Solución de montaje en superficie real, sin pasos de rectificación
Superior para humedad, golpes y vibraciones
Resistente a subtensiones de tensión negativa
Bajo consumo
Corriente activa 12 mA (máx.)
Corriente en espera 20 μA (típ)
Funcionamiento de tensión amplia: VDD = 2,7 V a 5,5 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Encapsulado de circuito integrado (SOIC) de contorno pequeño de 28 pines

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.