FRAM Infineon, 28 pines, SOIC-28, Paralelo, 64 kB, 8k x 8 bit, 70 ns, 5.5 V, 2.7 V

La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 8 K x 8 que lee y escribe de manera similar a una SRAM estándar. Una memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio o FRAM es no volátil, lo que significa que los datos se conservan después de retirar la alimentación. Proporciona retención de datos durante más de 151 años al tiempo que elimina las preocupaciones de fiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades de diseño del sistema de la SRAM respaldada por batería. El tiempo de escritura rápido y la alta resistencia a la escritura hacen que la FRAM sea superior a otros tipos de memoria. Su funcionamiento es similar al de otros dispositivos de RAM y, por lo tanto, se puede utilizar como sustitución en caso de caída para una SRAM estándar en un sistema. Los tiempos mínimos de ciclo de lectura y escritura son iguales. La memoria FRAM es no volátil gracias a su exclusivo proceso de memoria ferroeléctrica.

Bajo consumo de potencia